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近日，南昌大學舒龍龍、柯善明教授課題組發(fā)現(xiàn)鹵化鈣鈦礦（MAPbX₃, MA=CH₃NH₃, X=Cl, Br）材料中巨大的光撓曲電效應(yīng)，研究成果發(fā)表在《自然?材料》（Nature Materials）。

研究人員通過實驗表明，在室溫暗場7Hz測試條件下，有機無機雜化的鹵化物鈣鈦礦光伏半導體單晶材料（MAPbBr₃和MAPbCl₃）的撓曲電系數(shù)分別為24μC/m、33 μC/m，具有比大多數(shù)介電陶瓷更優(yōu)良的撓曲電性能；由于鹵化物鈣鈦礦單晶未發(fā)生相變，在較寬的溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出穩(wěn)定的撓曲電性能；并且作為典型半導體，材料撓曲電系數(shù)表現(xiàn)出電極以及樣品厚度依賴性。在引入光照條件下，材料表現(xiàn)出特殊的光致?lián)锨娫鰪姮F(xiàn)象（研究團隊將其命名為Photoflexoelectric effect，即光撓曲電效應(yīng)）。在可吸收波段的光照下，鈣鈦礦單晶的撓曲電性能隨光照強度增強而顯著增加，其飽和撓曲電系數(shù)可達到2000 μC/m，這是目前所有材料體系中的撓曲電系數(shù)值之最。同時，研究人員通過暗場和光照條件下應(yīng)變梯度與極化電流的相位差測試（90度相位差證明極化電流完全跟隨于應(yīng)變梯度），以及板狀樣品與梯形樣品在受到單軸應(yīng)力作用下的電荷響應(yīng)對比，證實應(yīng)變梯度是導致所測樣品產(chǎn)生電極化電荷的根本原因。

通過單晶撓曲電頻率依賴性的研究表明：作為離子半導體，暗場條件下，由于離子與電子的共同貢獻，單晶撓曲電系數(shù)表現(xiàn)出隨測試頻率增大而增大；光照條件下，隨著光生載流子的增加，電子貢獻占據(jù)主導，撓曲電系數(shù)與測試頻率無關(guān)的現(xiàn)象。

圖2. (a) (b) 暗場和光照條件下應(yīng)變梯度與極化電流的相位差，圖中的90度相位差證明極化電流完全跟隨于應(yīng)變梯度。(c) 板狀樣品和梯形樣品在受到單軸應(yīng)力作用下的電荷響應(yīng)，證實應(yīng)變梯度是導致所測樣品產(chǎn)生電荷的根本原因；(d) 撓曲電系數(shù)隨頻率的變化

針對光撓曲電效應(yīng)的物理機制，研究人員提出了一套關(guān)聯(lián)半導體中的載流子濃度和介質(zhì)材料中的電極化這兩個物理量的理論模型：鹵化鈣鈦礦具有較大的光敏感阻擋層勢壘，應(yīng)變梯度的作用使得半導體材料中的載流子在阻擋層發(fā)生分離，從而形成穩(wěn)定的宏觀極化；而光照的引入，提升了載流子濃度，進一步促進了載流子分離，從而形成了光撓曲電這一獨特的物理現(xiàn)象。等效撓曲電系數(shù)表示為：

其中，σ為表面電荷密度；G為曲率，即應(yīng)變梯度；?_r為相對介電常數(shù)；n為自由載流子的密度；Φ₀為肖特基勢壘高度，單位eV；φ為表面形變勢能，t是晶體厚度。

同時，該模型預期在所有光吸收材料中都將觀測到光撓曲電效應(yīng)，并在SrTiO₃單晶光撓曲電行為中得到了驗證。以上實驗數(shù)據(jù)表明，在力電耦合的基礎(chǔ)上引入第三個物理變量，形成一種多物理場耦合，將會是有效提高撓曲電性能的方法。該項工作第一次報道了鹵化鈣鈦礦中的撓曲電效應(yīng)、第一次發(fā)現(xiàn)半導體中的“光撓曲電”效應(yīng)，為進一步開展增強撓曲電效應(yīng)相關(guān)研究指出了方向。

圖3. (a) 電子傳輸特性：光生載流子使得MAPbBr₃產(chǎn)生了歐姆接觸到肖特基接觸的轉(zhuǎn)變；(b) SrTiO₃的光撓曲電響應(yīng)，表明光撓曲電效應(yīng)并不只局限于鹵化物鈣鈦礦材料體系

該成果以“Photoflexoelectric effect in halide perovskites”為題發(fā)表在國際著名期刊NatureMaterials上。舒龍龍副教授和西班牙加泰羅尼亞高等研究院Gustau Catalan教授為論文的通訊作者，參與論文的主要作者包括南昌大學柯善明、費林峰和重慶大學黃文彬、美國北卡州立大學的Xiaoning Jiang教授、南昌大學王立教授、鄭仁奎教授等，已故南昌大學王雨教授指導了該論文的初期工作！