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網(wǎng)站首頁(yè)/新材料/納米材料熱點(diǎn)/青島大學(xué)吳廣磊:簡(jiǎn)單工藝構(gòu)建具有優(yōu)異微波吸收性能的一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO納米棒
青島大學(xué)吳廣磊:簡(jiǎn)單工藝構(gòu)建具有優(yōu)異微波吸收性能的一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO納米棒
在應(yīng)用電子技術(shù)給人類帶來(lái)便利及更高的生產(chǎn)效率的同時(shí),與之相伴的電磁輻射正在成為新的污染源。無(wú)論是在軍用還是民用領(lǐng)域,電磁防護(hù)的迫切性也顯得尤為重要。因此,研制和探索具有“強(qiáng)吸收、低反射、薄厚度”特點(diǎn)的電磁波吸收材料,成為了科研人員對(duì)付電磁輻射的重要手段。但是,簡(jiǎn)單地合成工藝及低成本仍是限制電磁波吸收材料發(fā)展的難點(diǎn)和重點(diǎn)。


The Construction of 1D Heterostructure NiCo@C/ZnO Nanorod with Enhanced Microwave Absorption

Jianwei Wang, Zirui Jia, Xuehua Liu, Jinlei Dou, Binghui Xu, Bingbing Wang, Guanglei Wu*

Nano-Micro Letters (2021)13: 175

https://doi.org/10.1007/s40820-021-00704-5


本文亮點(diǎn)
1. 通過(guò)簡(jiǎn)單的溶劑熱反應(yīng)和高溫?zé)崽歼€原制備了NiCo-LDHs衍生的一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO納米棒。
2. 大量層狀結(jié)構(gòu)具有豐富的界面極化以及NiCo合金帶來(lái)的磁損耗能夠進(jìn)一步提高材料的電磁吸波性能。
3. 多組分構(gòu)造的NiCo@C/ZnO具有高效的電磁吸收性能,在1.9 mm厚度下最小反射損耗可達(dá)-60.97 dB,有效吸收帶寬可達(dá)6.08 GHz。

內(nèi)容簡(jiǎn)介

青島大學(xué)吳廣磊課題組通過(guò)溶劑熱反應(yīng)和碳熱還原處理成功地制備了NiCo-LDHs衍生的一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO納米棒復(fù)合材料。由于出色的電導(dǎo)損耗、豐富的極化損耗以及增強(qiáng)的磁損耗能力,使NiCo@C/ZnO復(fù)合材料展現(xiàn)出優(yōu)異的電磁波吸收性能。最小反射損耗值(RLmin)在2.3 mm時(shí)達(dá)到了-60.97 dB,同時(shí)在2.0 mm時(shí)最大吸收帶寬(EAB, RL≤-10 dB)達(dá)到6.08 GHz。

圖文導(dǎo)讀
I 一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO納米棒的制備過(guò)程及表征
在堿性條件下制備了六邊形截面的棒狀ZnO材料,以此為模板,使NiCo-LDHs在上面實(shí)現(xiàn)自組裝生長(zhǎng),得到NiCo-LDHs@ZnO復(fù)合材料。最后將其在不同氣氛下進(jìn)行高溫煅燒,其在氬氣環(huán)境下衍生得到無(wú)定形碳在高溫環(huán)境下會(huì)還原NiCo雙金屬氧化物從而得到NiCo合金,從而導(dǎo)致納米片層的厚度變薄、數(shù)量變少。制備過(guò)程如圖1所示。
圖1. 一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO納米棒的制備流程圖。
從圖2(a)中可以觀察到ZnO納米棒的尺寸約為500 nm,且尺寸均勻,從衍射圖中可以觀察到排列有序的斑點(diǎn),這證明制備的是單晶ZnO。在NiCo-LDHs@ZnO復(fù)合材料的TEM圖中可以觀察到明顯的片狀結(jié)構(gòu)均勻的包覆在棒狀ZnO上,且層狀結(jié)構(gòu)的晶格間距為0.262 nm,對(duì)應(yīng)于NiCo-LDHs的(012)晶面。經(jīng)過(guò)高溫煅燒后,得到的NiCo@C/ZnO納米棒形貌發(fā)生了較大變化圖2(c)。層狀結(jié)構(gòu)出現(xiàn)明顯的納米顆粒,且片層的數(shù)量明顯減少,從高分辨TEM圖中可以看到晶格間距為0.204 nm,這對(duì)應(yīng)著NiCo合金的(111)晶面。
圖2. 一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO納米棒系列材料的HRTEM圖:(a, a-1, a-2) ZnO,(b, b-1, b-2) NiCo-LDHs@ZnO,(c, c-1, c-2) NiCo@C/ZnO。
從XPS圖譜(圖3)中,可以觀察到存在C 1s,Zn 2p,O 1s,Co2p和Ni 2p元素的特征峰。其中,C 1s高分辨譜圖在284.6、286.5和288.5 eV處的特征峰,對(duì)應(yīng)C-C/C=C、C-O和C-C=O鍵(圖3b)。在O 1s高分辨光譜(圖3d)中可以觀察到531.5、530.6和529.0 eV處的三個(gè)特征峰,分別對(duì)應(yīng)樣品表面吸附的水或O、氧空位和金屬-O (Ni-O/Co-O)鍵。Co 2p可以被擬合為6個(gè)明顯的特征峰(圖3e),其中779.2和795.4 eV位置的特征峰歸于金屬Co,780.6和796.3 eV的特征峰與Co-O鍵相匹配,最后在788.3和803.4 eV處的特征峰匹配給衛(wèi)星峰。在Ni 2p高分辨率XPS譜(圖3f)中,878.9和860.8 eV處是衛(wèi)星峰,870.1和855.2 eV處的峰屬于Ni-O鍵。Co-O和Ni-O鍵中的O可能來(lái)源于NiCo合金暴露在空氣中的表面氧化。在871.5和853.6 eV處的特征峰與NiCo合金中的金屬Ni相匹配。
圖3. NiCo@C/ZnO復(fù)合材料的XPS光譜:a) 全譜,b) C 1s,c) Zn 2p,d) O 1s,e) Co 2p,f) Ni 2p。
II 一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO納米棒系列材料的電磁波吸收性能
基于相對(duì)復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率計(jì)算可得NiCo@C/ZnO納米棒系列復(fù)合材料的反射損耗特性(圖4)。其中ZnO納米棒的最小反射損耗值雖然達(dá)到了-49.01 dB,但是厚度與有效帶寬不能令人滿意,這是因?yàn)閆nO材料雖然出色介電性能,但是卻缺乏足夠好磁損耗進(jìn)行相互作用。而一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO納米棒的最小反射損耗值為-60.97 dB,對(duì)應(yīng)厚度為2.4 mm,更在2.0 mm的匹配厚度下,有效吸收帶寬達(dá)到了6.08 GHz,這是在多種損耗機(jī)制的相互搭配下,除了出色的電導(dǎo)損耗和極化損耗之外,渦流損耗和共振損耗也十分出色。
圖4. 在2-18 GHz頻率下的3維反射損耗圖:(a) S-1,(b) S-2,(c) S-3,(d) S-4,(e) S-5和(f) S-6。
III 一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO納米棒復(fù)合材料的電磁波吸收機(jī)理
圖5展示了NiCo@C/ZnO納米棒復(fù)合材料的電磁波吸收機(jī)制。由于復(fù)合材料的比表面積大,形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),這有利于在外磁場(chǎng)作用下感應(yīng)電流傳輸,使內(nèi)部電子發(fā)生定向遷移,在傳導(dǎo)損耗下將電磁能轉(zhuǎn)化為熱能,這也是高?"的重要緣故。其次,由于NiCo合金和棒狀ZnO之間的層狀介質(zhì)不同,電子會(huì)在接觸界面上不均勻聚積,導(dǎo)致界面極化,這是NiCo@C/ZnO復(fù)合材料具有優(yōu)異介電損耗的重要原因。第三,NiCo@C復(fù)合材料和O空位的存在會(huì)導(dǎo)致面對(duì)外部磁場(chǎng)的偶極極化,從而促進(jìn)入射EMW的損失。此外,由NiCo合金的存在引起的渦流損耗和共振損耗則是磁損耗的主要來(lái)源。在介電/磁損耗的相互作用下,使得NiCo@C/ZnO復(fù)合材料具有出色的吸波性能。
圖5. 一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)NiCo@C/ZnO的電磁波吸收機(jī)理示意圖。



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