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Angew. Chem. :螺旋納米片助力高效電解水析氫

開(kāi)發(fā)高效而廉價(jià)的析氫反應(yīng) (HER) 催化劑是實(shí)現(xiàn)清潔且可再生的氫經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。二維過(guò)渡金屬硫族化合物 (TMDCs) 作為有前景的非貴金屬HER催化劑之一,已引起科研界的廣泛關(guān)注。


然而,理論和實(shí)驗(yàn)均表明TMDCs的電化學(xué)活性位點(diǎn)主要分布在邊緣,而平面卻表現(xiàn)出電化學(xué)惰性。此外,由于其本征的范德瓦爾斯層間結(jié)構(gòu),電子在TMDCs中的層間躍遷總是受到限制,因此顯示出較低的垂直電導(dǎo)性。


近日,華中科技大學(xué)的劉友文副教授、翟天佑教授和安徽師范大學(xué)的盧寧副教授合作,提出螺旋納米片結(jié)構(gòu)模型實(shí)現(xiàn)對(duì)缺陷位點(diǎn)和垂直傳導(dǎo)的雙重調(diào)控。通過(guò)化學(xué)氣相沉積成功合成出螺位錯(cuò)驅(qū)動(dòng)生長(zhǎng)的二維MoTe2螺旋納米片,基于單個(gè)MoTe2螺旋納米片的電催化微納器件測(cè)試表明,螺旋結(jié)構(gòu)MoTe2相對(duì)于機(jī)械剝離樣品析氫電流密度大幅提高了兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

MoTe2螺旋在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中通過(guò)螺位錯(cuò)外延生長(zhǎng)從而形成豐富的邊緣臺(tái)階。通過(guò)理論計(jì)算發(fā)現(xiàn),臺(tái)階邊緣區(qū)域的Te空位相較于遠(yuǎn)離邊緣區(qū)域貢獻(xiàn)了更低的ΔGH*。高分辨透射電子顯微鏡圖像可直接觀察到主要分布在邊緣臺(tái)階區(qū)域附近的豐富的Te空位,可作為額外的HER活性位點(diǎn)。此外,MoTe2螺旋相較于層狀樣品具有更高的表面電勢(shì),有利于電子向質(zhì)子氫的轉(zhuǎn)移從而促進(jìn)HER過(guò)程。

通過(guò)導(dǎo)電原子力顯微鏡,作者發(fā)現(xiàn)在同樣的偏壓下,MoTe2螺旋在30 nm內(nèi)的不同高度下均保持一致的垂直電流,而MoTe2層狀樣品則表現(xiàn)出垂直電流對(duì)厚度的強(qiáng)烈依賴(lài),在僅15 nm高度處即表現(xiàn)為不導(dǎo)通狀態(tài)。對(duì)比之下,作者確認(rèn)范德瓦爾斯層狀材料的螺結(jié)構(gòu)可以通過(guò)連續(xù)的位錯(cuò)線以螺旋狀路徑傳輸電流,實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的垂直導(dǎo)電性,從而改善了電子從催化劑負(fù)載到TMDCs催化劑再到吸附中間物的遷移。

最終,基于MoTe2螺旋的單片器件在測(cè)試中表現(xiàn)出優(yōu)異的HER活性。該工作開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的結(jié)構(gòu)模型,突破了TMDCs用于HER的本征限制,并有望為這類(lèi)獨(dú)特的微結(jié)構(gòu)開(kāi)辟用于惰性催化反應(yīng)的多種可能性。

論文信息:

Dual-Regulation of Defect Sites and Vertical Conduction by Spiral Domain for Electrocatalytic Hydrogen Evolution

Xipeng Tong, Yang Zhao, Zhiwen Zhuo, Zhenhong Yang, Shuzhe Wang, Youwen Liu,* Ning Lu,* Huiqiao Li and Tianyou Zhai*


Angewandte Chemie International Edition

DOI: 10.1002/anie.202112953


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