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Angew. Chem. :界面NH4+脫質子化實現(xiàn)NH4+和H3O+的共嵌入/脫出

離子嵌入過程必經(jīng)歷電極-電解質界面過程,例如脫溶劑化,這決定了電化學動力學。但是,實現(xiàn)快速離子嵌入并研究界面處的離子轉換仍然是一個挑戰(zhàn)。


近日,武漢理工大學麥立強教授、深圳大學楊金龍助理教授和四川大學趙焱教授合作共同揭示了電極-電解質界面處NH4+脫質子化及誘導H2O自水解以提供足夠的H3O+以實現(xiàn)NH4+和H3O+的共嵌入現(xiàn)象,VO2(B)負極材料因此得以實現(xiàn)高可逆容量和高倍率性能。



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理論計算反應(1)的自由能為39.93 Kcal mol?1,反應(2)的自由能為74.53 Kcal mol?1,由此可見,NH4+脫質子過程比H2O自水解提供質子在熱力學上更容易發(fā)生。


通過原位紅外觀測VO2(B)在乙酸銨-水電解液中的電化學過程,在放電過程中NH4+會首先大量聚集在VO2(B)負極材料表面(~1420 cm?1),同時VO2(B)結構內與V配位的NH4+振動峰(~1460 cm?1)也出現(xiàn),源自N-H···O(VO2(B))的振動峰(~1540 cm?1)則表明NH4+在VO2(B)負極材料表面的吸附過程,隨后1050-1250 cm?1振動峰的出現(xiàn)表明NH3的生成。與NH4+相關的振動峰在乙酸銨-乙二醇電解液中也被觀測到,但是容量大大降低,說明H2O在電極-電解質界面處NH4+脫質子化及誘導H2O自水解過程起到重要作用。

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通過原位XRD作者發(fā)現(xiàn)VO2(B)負極材料發(fā)生了可逆固溶相離子嵌入/脫出過程。

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VO2(B) 負極材料可以實現(xiàn)高倍率(10 A g?1)和高容量(>150.3 mAh g?1)的長循環(huán)性能,與(NH4)2CuFe(CN)6正極材料匹配可以提供~1.1 V的工作電壓。

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電極-電解質界面處NH4+脫質子化及誘導H2O自水解的NH4+和H3O+共嵌入使得VO2(B)成為高可逆容量和高倍率性能負極材料,同時為質子儲能提供了新的設計思路。

文信息

NH4+ Deprotonation at Interfaces Induced Reversible H3O+/NH4+ Co-insertion/Extraction

Meng Huang, Qiu He, Junjun Wang, Xiong Liu, Fangyu Xiong, Yu Liu, Ruiting Guo, Yan Zhao, Jinlong Yang, Liqiang Mai


Angewandte Chemie International Edition

DOI: 10.1002/anie.202218922




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