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?ACS Catal.: 質(zhì)子插層協(xié)同雜原子摻雜,提高eNRR活性并抑制HER
電化學氮還原反應(yīng)(eNRR)能夠在環(huán)境條件下利用N2和H2O生成NH3,是替代傳統(tǒng)Haber–Bosch工藝有前途的候選者。在過去的幾年中,過渡金屬氧化物(TMO)由于其豐富的儲量、合成簡單、化學穩(wěn)定性和可調(diào)的催化活性而越來越受到人們的關(guān)注。同時,TMO通常被認為是HER的惰性催化劑,是高選擇性eNRR的理想材料。為進一步提高TMO的eNRR活性,研究人員開發(fā)了OVs、雜原子摻雜和界面電場等策略。值得注意的是,TMO的電子結(jié)構(gòu)也可以通過原位質(zhì)子插入來修飾,但是目前仍缺乏對其實驗和理論研究。


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近日,新澤西州立羅格斯大學He Huixin新澤西理工學院張文等以P摻雜富氧空位WO3(P-OV-WO3)作為插層過渡金屬氧化物(TMO)基催化劑的模型,表明在eNRR之前質(zhì)子插層可以對其電子結(jié)構(gòu)進行很大程度的修飾。
密度泛函理論(DFT)計算表明,間隙氫摻雜、P的替代摻雜和OVs的存在共同增加了WO3費米能級附近d帶的電子態(tài)。因此,N2活化和加氫過程中的反應(yīng)能壘大大降低,反過來又顯著提高eNRR活性;另一方面,P摻雜和相關(guān)的結(jié)構(gòu)變化引起了質(zhì)子插層的顯著抑制,進而有效地抑制HER活性。
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性能測試結(jié)果顯示,得益于質(zhì)子插層、取代P摻雜和OVs在改善eNRR中N2活化和氫化方面的協(xié)同作用,P-OV-WO3催化劑顯著增加了eNRR活性并抑制HER,在酸性條件及?0.15 VRHE下,NH3的法拉第效率(FE)提高到64.1%,產(chǎn)率達到24.5 μg mgcat?1 h?1,超過了大多數(shù)報道的TMO基催化劑。此外,P-OV-WO3在?0.15 VRHE下連續(xù)電解三次(每次一小時),NH3的產(chǎn)率和FE都保持不變,顯示出良好的穩(wěn)定性。
綜上,該項工作通過替代摻雜和操作質(zhì)子/堿金屬離子插層對催化劑進行電子調(diào)制來提高性能,為TMO和/或其他可插層化合物的合理設(shè)計提供了指導。
Enhancement of electrochemical nitrogen reduction activity and suppression of hydrogen evolution reaction for transition metal oxide catalysts: the role of proton intercalation and heteroatom doping. ACS Catalysis, 2024. DOI: 10.1021/acscatal.4c00223




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