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Angew. Chem. :通過改變界面Cu-O鍵強實現(xiàn)對CO2電還原制C1或C2+路徑的有效調(diào)控


電催化CO2還原反應(CO2RR)被認為是減緩CO2過度排放、實現(xiàn)碳中和目標的有效途徑之一。銅(Cu)基催化劑因其成本低、自然豐度高,并且能夠?qū)O2直接還原轉(zhuǎn)化為C1到C3多種還原產(chǎn)物而備受關注。然而,Cu基催化劑同時也面臨著反應機制復雜、反應路徑難以調(diào)控的挑戰(zhàn),導致還原產(chǎn)品選擇性普遍較低?,F(xiàn)階段,無機氧化物衍生的銅催化劑在負電位條件下極易發(fā)生還原重構或團聚,導致其反應機理仍不明晰。因此,如何實現(xiàn)對銅基催化劑CO2RR反應路徑的精準調(diào)控仍是挑戰(zhàn)性難題。

近日,華東理工大學的張玉研究員與河南大學的田志紅教授合作,通過Cu離子與不同含氧有機物(如方酸根(C4O42-)和環(huán)己六酮(C6O6))的成功配位,設計并制備了兩種不同結構的Cu基金屬配位聚合物,實現(xiàn)了對Cu基催化劑界面Cu-O鍵能的有效調(diào)控,建立了Cu-O鍵能強弱與CO2RR到C1或C2+反應路徑的關聯(lián)規(guī)律。這一研究成果為開發(fā)高選擇性Cu基催化劑提供了新的思路。



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研究表明界面配位Cu-O鍵強對催化劑原位生成的銅顆粒形貌以及表面電子結構產(chǎn)生了顯著影響,進而實現(xiàn)了對CO2RR反應路徑的有效調(diào)控。電化學性能測試表明較強的Cu-O鍵(C6O6-Cu)有利于C1產(chǎn)物的生成,在-0.6 VRHE下FEC1為63.7%;而較弱的Cu-O鍵(C4O4-Cu)則傾向于C2+產(chǎn)物的生成,在-1.0 VRHE下FEC2+為65.8%,分電流密度為205.1 mA cm-2,且可穩(wěn)定運行至少10小時。

原位衰減全反射紅外光譜(ATR-IR)進一步表明,C6O6-Cu表現(xiàn)出更強的C1產(chǎn)物關鍵中間體特征峰(包括*CO和*OCHO),而C4O4-Cu則在更寬的電壓范圍內(nèi)檢測到*COCHO中間體特征峰。同時,密度泛函理論(DFT)計算驗證了C6O6-Cu對*CO有著更強的吸附能力,卻對*CO-CO和*COCHO耦合表現(xiàn)出更高的反應能壘,表明C6O6-Cu更傾向C1產(chǎn)物的生成。相比之下,C4O4-Cu則對*CO吸附較弱,并且對*CO-CO和*COCHO耦合表現(xiàn)出更低的反應能壘,因此更傾向于C2+產(chǎn)物的生成。該研究工作為有效調(diào)控Cu基催化劑CO2RR反應路徑提供了新的方法與見解。

文信息

Altering the CO2 Electroreduction Pathways Towards C1 or C2+ Products via Engineering the Strength of Interfacial Cu?O Bond

Yu Zhang, Yicheng Li, Nana Gao, Dr. Ernest Pahuyo Delmo, Guoyu Hou, Ali Luo, Dongyang Wang, Prof. Ke Chen, Prof. Markus Antonietti, Prof. Tianxi Liu, Prof. Zhihong Tian


Angewandte Chemie International Edition

DOI: 10.1002/anie.202404676




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